Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318T(T5L,F,T)
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- Toshiba Semiconductor and Storage
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- FET - 단일
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- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
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SSM3K318T(T5L,F,T) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K318T(T5L,F,T) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K318T Mosfets Prod Guide | |
| 제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 107m옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 235pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TSM | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SSM3K318T(T5LFT)CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K318T(T5L,F,T) | |
| 관련 링크 | SSM3K318T(, SSM3K318T(T5L,F,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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