창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K301T(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K301T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 2A, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.8nC(4V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 320pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K301T (TE85L,F) SSM3K301T(TE85LF)TR SSM3K301TTE85LF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K301T(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | SSM3K301T(, SSM3K301T(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | VT1080CHM3/4W | RECT SCHOTTKY 80V 5A TO-220AB | VT1080CHM3/4W.pdf | |
![]() | CRCW2010210RFKTF | RES SMD 210 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW2010210RFKTF.pdf | |
![]() | P51-200-G-P-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - M20 x 1.5 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-G-P-I12-5V-000-000.pdf | |
![]() | G104SN05 | G104SN05 AUO SMD or Through Hole | G104SN05.pdf | |
![]() | RC28F128P33B-CYC | RC28F128P33B-CYC INTEL BGA | RC28F128P33B-CYC.pdf | |
![]() | MAX431CPA | MAX431CPA MAXIM DIP8 | MAX431CPA.pdf | |
![]() | TC74HC244AF.EL | TC74HC244AF.EL TOS SOP | TC74HC244AF.EL.pdf | |
![]() | 290181 | 290181 TI TSSOP20 | 290181.pdf | |
![]() | NJU6623AFG1-02 | NJU6623AFG1-02 JRC QFP | NJU6623AFG1-02.pdf | |
![]() | TS319 | TS319 STM SOP | TS319.pdf | |
![]() | SNAS1000N | SNAS1000N TI SMD or Through Hole | SNAS1000N.pdf | |
![]() | 88E3083-B1-LKJ1I000 | 88E3083-B1-LKJ1I000 MARVELL SMD or Through Hole | 88E3083-B1-LKJ1I000.pdf |