Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU,LF
- 제조업체 부품 번호
- SSM3K123TU,LF
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SSM3K123TU,LF 가격 및 조달
가능 수량
29550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 121.57517
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SSM3K123TU,LF 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. SSM3K123TU,LF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SSM3K123TU,LF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SSM3K123TU,LF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SSM3K123TU,LF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K123TU,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3K123TU Mosfets Prod Guide | |
| 제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
| 카탈로그 페이지 | 1649 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 3A, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.6nC(4V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1010pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | UFM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K123TU (T5L,T) SSM3K123TU(T5L,T) SSM3K123TU(T5LT)TR SSM3K123TU(T5LT)TR-ND SSM3K123TU(TE85L) SSM3K123TU(TE85L)TR SSM3K123TU(TE85L)TR-ND SSM3K123TU,LF(B SSM3K123TU,LF(T SSM3K123TULFTR SSM3K123TUT5LT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K123TU,LF | |
| 관련 링크 | SSM3K12, SSM3K123TU,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
SSM3K123TU,LF 의 관련 제품
-2.jpg) | 1808GC102JAT1A | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GC102JAT1A.pdf | |
 | 32331C | 330µH Unshielded Toroidal Inductor 780mA 215 mOhm Max Radial | 32331C.pdf | |
 | RSF3JB47K0 | RES MO 3W 47K OHM 5% AXIAL | RSF3JB47K0.pdf | |
 | G7J-3A1B-PZ-24V | G7J-3A1B-PZ-24V OMRON SMD or Through Hole | G7J-3A1B-PZ-24V.pdf | |
| PE68383 | PE68383 ORIGINAL SMD or Through Hole | PE68383.pdf | |
| 1M803S-TUBE | 1M803S-TUBE Anaron SMD or Through Hole | 1M803S-TUBE.pdf | |
| CRG080518KJ | CRG080518KJ NEOHM SMD or Through Hole | CRG080518KJ.pdf | |
| EM4601C | EM4601C EPSON QFP | EM4601C.pdf | |
| AC194 | AC194 ST/MOTO CAN to-39 | AC194.pdf | |
| P80C51RA+4A D | P80C51RA+4A D PHILIPS PLCC | P80C51RA+4A D.pdf | |
| CMI160808J100MT | CMI160808J100MT Fenghua SMD | CMI160808J100MT.pdf | |
| GX3011 | GX3011 NATIONALCHIP ONAL | GX3011.pdf |