창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3J46CTB(TPL3) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM3J46CTB Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 103m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 무연 | |
공급 장치 패키지 | CST3B | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | SSM3J46CTB (TPL3) SSM3J46CTB(TPL3)TR SSM3J46CTBTPL3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3J46CTB(TPL3) | |
관련 링크 | SSM3J46CT, SSM3J46CTB(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | S0402-56NJ1S | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 1 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-56NJ1S.pdf | |
![]() | RT0603CRC0714R7L | RES SMD 14.7OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC0714R7L.pdf | |
![]() | CMF50243R00FHR6 | RES 243 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50243R00FHR6.pdf | |
![]() | LRNV30N41 | Level Sensor | LRNV30N41.pdf | |
![]() | BAR2352I | BAR2352I BB/TI QFN | BAR2352I.pdf | |
![]() | IS62LV1288LL-70QI | IS62LV1288LL-70QI ISSI SOP32 | IS62LV1288LL-70QI.pdf | |
![]() | MV9319DOB | MV9319DOB ORIGINAL SMD or Through Hole | MV9319DOB.pdf | |
![]() | TM30P-66P | TM30P-66P HRS SMD or Through Hole | TM30P-66P.pdf | |
![]() | 0251003.NRT1L,3A | 0251003.NRT1L,3A ORIGINAL SMD or Through Hole | 0251003.NRT1L,3A.pdf | |
![]() | FQT3612*********** | FQT3612*********** Fairchild SOT223 | FQT3612***********.pdf | |
![]() | ERA81004TP1 | ERA81004TP1 FUJISEMI SMD or Through Hole | ERA81004TP1.pdf | |
![]() | 2SD498 | 2SD498 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD498.pdf |