홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » SSM3J35MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV,L3F
제조업체 부품 번호
SSM3J35MFV,L3F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
데이터 시트 다운로드
다운로드
SSM3J35MFV,L3F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SSM3J35MFV,L3F 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. SSM3J35MFV,L3F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SSM3J35MFV,L3F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SSM3J35MFV,L3F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SSM3J35MFV,L3F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM3J35MFV,L3F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SSM3J35MFV
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8옴 @ 50mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds12.2pF @ 3V
전력 - 최대150mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지VESM
표준 포장 1
다른 이름SSM3J35MFV(TL3T)CT
SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J35MFVL3FCT
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SSM3J35MFV,L3F
관련 링크SSM3J35M, SSM3J35MFV,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
SSM3J35MFV,L3F 의 관련 제품
RES SMD 10 OHM 5% 1/4W 1206 AF1206JR-0710RL.pdf
RES SMD 5.1 OHM 1% 3W 6227 SM6227FT5R10.pdf
IRFR3504PBF IR SOT-252 IRFR3504PBF.pdf
ICE2SA265 ORIGINAL DIP8 ICE2SA265.pdf
SN74HC298B1R ST DIP SN74HC298B1R.pdf
LMV712BLTR NS SMD or Through Hole LMV712BLTR.pdf
2DV32 ORIGINAL SMD or Through Hole 2DV32.pdf
AM29C202JC AMD SMD AM29C202JC.pdf
HYB39S64160DAL-6 INFSIEMENS TSOP54 HYB39S64160DAL-6.pdf
ispGDX1605C208 Lattice QFP ispGDX1605C208.pdf
MC74HC195 MOT DIP-16 MC74HC195.pdf
HXX0163800 n/a n a HXX0163800.pdf