창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3J327R,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM3J327R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 93m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-3 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SOT-23F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SSM3J327R,LF(B SSM3J327R,LF(T SSM3J327RLF SSM3J327RLFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3J327R,LF | |
관련 링크 | SSM3J32, SSM3J327R,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
B32520C6682K189 | 6800pF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.394" L x 0.098" W (10.00mm x 2.50mm) | B32520C6682K189.pdf | ||
SIT1602BC-13-25E-50.000000E | OSC XO 2.5V 50MHZ OE | SIT1602BC-13-25E-50.000000E.pdf | ||
RT0805BRE07226KL | RES SMD 226K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE07226KL.pdf | ||
74ALVCF162835APAID | 74ALVCF162835APAID IDT DIP | 74ALVCF162835APAID.pdf | ||
P320AIC22-15T | P320AIC22-15T TEXAS QFP | P320AIC22-15T.pdf | ||
89245 | 89245 MOTOROLA CAN3 | 89245.pdf | ||
2SC5824R | 2SC5824R ROHM SOT89 | 2SC5824R.pdf | ||
DY-10P | DY-10P M SMD or Through Hole | DY-10P.pdf | ||
MT9M023IA3XTMD ES | MT9M023IA3XTMD ES APTINA SMD or Through Hole | MT9M023IA3XTMD ES.pdf | ||
IDT49FCT805TQ | IDT49FCT805TQ IDT DIP | IDT49FCT805TQ.pdf | ||
A18260T3 | A18260T3 ORIGINAL SMD or Through Hole | A18260T3.pdf | ||
EP1800J M/883C | EP1800J M/883C ALTERA JLCC | EP1800J M/883C.pdf |