창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3J306T(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM3J306T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 117m옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(15V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3J306T (TE85L,F) SSM3J306T(TE85LF)TR SSM3J306TTE85LF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3J306T(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | SSM3J306T(, SSM3J306T(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AC-73-33E-26.000000D | OSC XO 3.3V 26MHZ OE | SIT8008AC-73-33E-26.000000D.pdf | |
| FST16030 | DIODE MODULE 30V 160A TO249AB | FST16030.pdf | ||
![]() | Y09262R50000Q9L | RES 2.5 OHM 8W 0.02% TO220-4 | Y09262R50000Q9L.pdf | |
![]() | P300SH12 | P300SH12 WESTCODE SMD or Through Hole | P300SH12.pdf | |
![]() | N80C154V | N80C154V OKI QFP-44 | N80C154V.pdf | |
![]() | 2SB1401 | 2SB1401 HITACHI TO-220F | 2SB1401.pdf | |
![]() | D6450GT-608 | D6450GT-608 NEC SOP | D6450GT-608.pdf | |
![]() | HA6263PIC4 | HA6263PIC4 ORIGINAL SMD or Through Hole | HA6263PIC4.pdf | |
![]() | M29F200T | M29F200T STM IC | M29F200T.pdf | |
![]() | 7524L SOP-8 T/R | 7524L SOP-8 T/R UTC SMD or Through Hole | 7524L SOP-8 T/R.pdf | |
![]() | 39-29-9242 | 39-29-9242 MOLEX Original Package | 39-29-9242.pdf | |
![]() | MCH215A560JK 0805-56P | MCH215A560JK 0805-56P ROHM SMD or Through Hole | MCH215A560JK 0805-56P.pdf |