창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3J114TU(TE85L) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM3J114TU Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 149m옴 @ 600mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(4V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 331pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | UFM | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SSM3J114TU(TE85L)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3J114TU(TE85L) | |
관련 링크 | SSM3J114TU, SSM3J114TU(TE85L) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | FK2125TZ201C850T | 200 Ohm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount 100mA 1 Lines 2 Ohm Max DCR -25°C ~ 85°C | FK2125TZ201C850T.pdf | |
![]() | 4306R-102-330 | RES ARRAY 3 RES 33 OHM 6SIP | 4306R-102-330.pdf | |
![]() | Y07862K50000T0L | RES 2.5K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y07862K50000T0L.pdf | |
![]() | TJ5205SF5-3.3V-5L | TJ5205SF5-3.3V-5L HTC SMD or Through Hole | TJ5205SF5-3.3V-5L.pdf | |
![]() | MDS100A16M | MDS100A16M ORIGINAL DIP | MDS100A16M.pdf | |
![]() | A4T/323 | A4T/323 PHILIPS SOT-323 | A4T/323.pdf | |
![]() | ADD8704ARUZ-RE | ADD8704ARUZ-RE FCI SMD or Through Hole | ADD8704ARUZ-RE.pdf | |
![]() | 2P5M | 2P5M NEC TO-220 | 2P5M.pdf | |
![]() | GT-XQD002 | GT-XQD002 ORIGINAL SMD or Through Hole | GT-XQD002.pdf | |
![]() | MAB8421P-F070 | MAB8421P-F070 PHI DIP | MAB8421P-F070.pdf | |
![]() | RLZTE1127B | RLZTE1127B ROHM LL34 | RLZTE1127B.pdf |