창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQM47N10-24L_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQM47N10-24L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3620pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SQM47N10-24L-GE3 SQM47N10-24L-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQM47N10-24L_GE3 | |
| 관련 링크 | SQM47N10-, SQM47N10-24L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CBT50J56R | RES 56.0 OHM 1/2W 5% AXIAL | CBT50J56R.pdf | |
![]() | B82432A1474K | B82432A1474K EPCOS SOP | B82432A1474K.pdf | |
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![]() | EI1086CM | EI1086CM SC DIP | EI1086CM.pdf | |
![]() | CMPZDC4V3 | CMPZDC4V3 CENTRAL SOT-23 | CMPZDC4V3.pdf | |
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![]() | ECST0J107R | ECST0J107R ORIGINAL 6.3V100C | ECST0J107R.pdf | |
![]() | 157K04BH | 157K04BH AVX SMD or Through Hole | 157K04BH.pdf | |
![]() | CX24951-13 | CX24951-13 CONEXANT BGA | CX24951-13.pdf | |
![]() | FB1608-A4L2R4AT/LF | FB1608-A4L2R4AT/LF ACX SMD or Through Hole | FB1608-A4L2R4AT/LF.pdf |