창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQM40N10-30_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQM40N10-30 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-028-2014-Rev-1 17/Mar/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3345pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SQM40N10-30-GE3 SQM40N10-30-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQM40N10-30_GE3 | |
| 관련 링크 | SQM40N10-, SQM40N10-30_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 0858 002 U2J0 430 J | 43pF 세라믹 커패시터 U2J | 0858 002 U2J0 430 J.pdf | |
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![]() | GS7566-812-004DD | GS7566-812-004DD GS BGA | GS7566-812-004DD.pdf | |
![]() | IDT70V3569S6BF8 | IDT70V3569S6BF8 IDT qfp | IDT70V3569S6BF8.pdf | |
![]() | OP16AZ/883 5962-8954301PA | OP16AZ/883 5962-8954301PA AD DIP | OP16AZ/883 5962-8954301PA.pdf | |
![]() | MAX7034ATJ | MAX7034ATJ max QFN | MAX7034ATJ.pdf | |
![]() | E01AD | E01AD Dallas TO-223 | E01AD.pdf | |
![]() | DS90C387DVJD | DS90C387DVJD NS QFP | DS90C387DVJD.pdf | |
![]() | HD64F3024F25V | HD64F3024F25V ORIGINAL QFP | HD64F3024F25V.pdf |