창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQM40N10-30_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQM40N10-30 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-028-2014-Rev-1 17/Mar/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3345pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SQM40N10-30-GE3 SQM40N10-30-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQM40N10-30_GE3 | |
| 관련 링크 | SQM40N10-, SQM40N10-30_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | T9G0141003DN | T9G0141003DN Powerex SMD or Through Hole | T9G0141003DN.pdf | |
![]() | R5F212A8SNFA#U0 | R5F212A8SNFA#U0 Renesas SMD or Through Hole | R5F212A8SNFA#U0.pdf | |
![]() | AM23D800BB | AM23D800BB ORIGINAL SMD42 | AM23D800BB.pdf | |
![]() | pr025-18k | pr025-18k vis SMD or Through Hole | pr025-18k.pdf | |
![]() | AD590UH/883 | AD590UH/883 AD CAN3 | AD590UH/883.pdf | |
![]() | BT458LP165 | BT458LP165 BT PLCC-84 | BT458LP165.pdf | |
![]() | GRM40R2H391J50 | GRM40R2H391J50 MURATA SMD or Through Hole | GRM40R2H391J50.pdf | |
![]() | D8C | D8C ORIGINAL DFN-10 | D8C.pdf | |
![]() | B37540K5332K060 | B37540K5332K060 EPCOS SMD | B37540K5332K060.pdf | |
![]() | SAFSD1G57FA0T00R12 | SAFSD1G57FA0T00R12 MURATA SMD or Through Hole | SAFSD1G57FA0T00R12.pdf |