창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM110N05-06L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQM110N05-06L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 157W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQM110N05-06L_GE3 | |
관련 링크 | SQM110N05-, SQM110N05-06L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 08051U2R7DAT2A | 2.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051U2R7DAT2A.pdf | |
![]() | SR301C334MAA | 0.33µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | SR301C334MAA.pdf | |
![]() | ERJ-3RQFR56V | RES SMD 0.56 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3RQFR56V.pdf | |
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![]() | 8609153003LF | 8609153003LF FCIELX SMD or Through Hole | 8609153003LF.pdf | |
![]() | 22ND01-P | 22ND01-P ORIGINAL SMD or Through Hole | 22ND01-P.pdf | |
![]() | MS0633 | MS0633 M SOP | MS0633.pdf | |
![]() | H11D4XSMT/R | H11D4XSMT/R ISOCOM DIPSOP | H11D4XSMT/R.pdf | |
![]() | MCD56/06 | MCD56/06 IXYS SMD or Through Hole | MCD56/06.pdf | |
![]() | NT5TU32M16CG-BD | NT5TU32M16CG-BD NANYA BGA | NT5TU32M16CG-BD.pdf | |
![]() | UD3 | UD3 NO SMD or Through Hole | UD3.pdf | |
![]() | D3601A-1 | D3601A-1 INTEL DIP | D3601A-1.pdf |