창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQJ960EP-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQJ960EP-T1-GE3 | |
PCN 조립/원산지 | SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 5.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 735pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3-ND SQJ960EP-T1_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQJ960EP-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQJ960EP-, SQJ960EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 476RZM050M | 47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 4.233 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 476RZM050M.pdf | |
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![]() | ATMLH0082EB-1 | ATMLH0082EB-1 ATMEL SOP-8 | ATMLH0082EB-1.pdf | |
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![]() | CIRB6U0 | CIRB6U0 IR SOP06 | CIRB6U0.pdf | |
![]() | K50H603 | K50H603 INF TO-247 | K50H603.pdf | |
![]() | DS3316P-153ML | DS3316P-153ML Coilcraft SMD | DS3316P-153ML.pdf | |
![]() | CY7C1345B100AC | CY7C1345B100AC CYP PQFP | CY7C1345B100AC.pdf | |
![]() | M0372A | M0372A NEC SMD or Through Hole | M0372A.pdf | |
![]() | G6K-2F-DC12V | G6K-2F-DC12V OMRON SOP | G6K-2F-DC12V.pdf | |
![]() | E3S-GS1E4 5M | E3S-GS1E4 5M Omron SMD or Through Hole | E3S-GS1E4 5M.pdf |