창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQJ951EP-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQJ951EP-T1-GE3 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQJ951EP-T1-GE3 SQJ951EP-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQJ951EP-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQJ951EP-, SQJ951EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | IDC7328ER5R6M | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 5.3A 20 mOhm Max Nonstandard | IDC7328ER5R6M.pdf | |
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![]() | 51HQ035 | 51HQ035 IR DO-5 | 51HQ035.pdf | |
![]() | MK74C8216R | MK74C8216R MK SOP28 | MK74C8216R.pdf | |
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![]() | FA7612F-T1 | FA7612F-T1 FUJ SOP8 | FA7612F-T1.pdf | |
![]() | LLZ18B | LLZ18B Micro MINIMELF | LLZ18B.pdf | |
![]() | M38503M2A-411FP#W1 | M38503M2A-411FP#W1 RENESAS MCU | M38503M2A-411FP#W1.pdf |