창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQJ940EP-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQJ940EP-T1-GE3 | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A, 18A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(20V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 896pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 48W, 43W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 이중 비대칭 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SQJ940EP-T1-GE3 SQJ940EP-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQJ940EP-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQJ940EP-, SQJ940EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ESR18EZPJ330 | RES SMD 33 OHM 5% 1/3W 1206 | ESR18EZPJ330.pdf | |
![]() | 7611CPA | 7611CPA HARRIS SMD or Through Hole | 7611CPA.pdf | |
![]() | M5M51008FP-70LL-W | M5M51008FP-70LL-W MIT SOP-32 | M5M51008FP-70LL-W.pdf | |
![]() | MC14577BCP | MC14577BCP MOT DIP | MC14577BCP.pdf | |
![]() | MRF1C0916 | MRF1C0916 NEC SOT-363 | MRF1C0916.pdf | |
![]() | KP500B-p(TO-5+PB F | KP500B-p(TO-5+PB F NICERA TO-5 | KP500B-p(TO-5+PB F.pdf | |
![]() | INA157UA/2K5G4 | INA157UA/2K5G4 TI SOP | INA157UA/2K5G4.pdf | |
![]() | MCRS4A | MCRS4A BUSSMANN 4A125V | MCRS4A.pdf | |
![]() | TL30W01 | TL30W01 TOSHIBA SMD or Through Hole | TL30W01.pdf | |
![]() | 1206AS-R56K-01 | 1206AS-R56K-01 Fastron NA | 1206AS-R56K-01.pdf | |
![]() | MT8980BP | MT8980BP MITEL SMD or Through Hole | MT8980BP.pdf | |
![]() | NOVEC DEGREASER | NOVEC DEGREASER ORIGINAL NEW | NOVEC DEGREASER.pdf |