창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQJ463EP-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQJ463EP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5875pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1-GE3-ND SQJ463EP-T1_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQJ463EP-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQJ463EP-, SQJ463EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | TNPW251212K0BEEY | RES SMD 12K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251212K0BEEY.pdf | |
![]() | IRLML6302TR(1C) | IRLML6302TR(1C) IR SOT23 | IRLML6302TR(1C).pdf | |
![]() | VK200W10K | VK200W10K HONEYWELL SMD or Through Hole | VK200W10K.pdf | |
![]() | 100383671+ | 100383671+ OK SMD or Through Hole | 100383671+.pdf | |
![]() | 1N4734A5.6V/1W | 1N4734A5.6V/1W ST DO-41 DO-41 | 1N4734A5.6V/1W.pdf | |
![]() | LDEID2820KA0N00 | LDEID2820KA0N00 ARCOTRONI SMD | LDEID2820KA0N00.pdf | |
![]() | 0805F12K | 0805F12K ROHM SMD or Through Hole | 0805F12K.pdf |