창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQJ200EP-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQJ200EP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A, 60A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 975pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 27W, 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 이중 비대칭 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SQJ200EP-T1_GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQJ200EP-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQJ200EP-, SQJ200EP-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1N6284A-E3/51 | TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC 1.5KE | 1N6284A-E3/51.pdf | |
![]() | RT1210DRD07576KL | RES SMD 576K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07576KL.pdf | |
![]() | PLTT0805Z2492AGT5 | RES SMD 24.9KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z2492AGT5.pdf | |
![]() | CMF5549K900BERE70 | RES 49.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5549K900BERE70.pdf | |
![]() | DAQ6001-AQ | DAQ6001-AQ MITE TQFP | DAQ6001-AQ.pdf | |
![]() | UBA2021T/N2.518 | UBA2021T/N2.518 NXP SMD or Through Hole | UBA2021T/N2.518.pdf | |
![]() | OEC1001B | OEC1001B ORION DIP42 | OEC1001B.pdf | |
![]() | AR03ATCY68R0N | AR03ATCY68R0N VIKING SMD | AR03ATCY68R0N.pdf | |
![]() | SK6-0G336M-RA 4V33UF-A | SK6-0G336M-RA 4V33UF-A ELNA SMD or Through Hole | SK6-0G336M-RA 4V33UF-A.pdf | |
![]() | 100V/4.7UF 5X11 | 100V/4.7UF 5X11 JWCO SMD or Through Hole | 100V/4.7UF 5X11.pdf | |
![]() | SD2A107M10016BB | SD2A107M10016BB EPCOS SMD or Through Hole | SD2A107M10016BB.pdf | |
![]() | HLMPD401CATG | HLMPD401CATG avago SMD or Through Hole | HLMPD401CATG.pdf |