창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD97N06-6M3L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQD97N06-6M3L_GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6060pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD97N06-6M3L-GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD97N06-6M3L_GE3 | |
관련 링크 | SQD97N06-6, SQD97N06-6M3L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SI4632DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC | SI4632DY-T1-E3.pdf | ||
ISC1210ER6R8K | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 205mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER6R8K.pdf | ||
PC87332VLI | PC87332VLI NS QFP | PC87332VLI.pdf | ||
2432I | 2432I TI SOP8 | 2432I.pdf | ||
HN2C11FU | HN2C11FU TOSHIBA SOT-363 | HN2C11FU.pdf | ||
MAPL-000817-015CPC | MAPL-000817-015CPC MA/COM nul | MAPL-000817-015CPC.pdf | ||
RD13ES-T2AB1 | RD13ES-T2AB1 NEC DO34 | RD13ES-T2AB1.pdf | ||
75GZ | 75GZ ORIGINAL SOP | 75GZ.pdf | ||
IT8712F-A (DYA) | IT8712F-A (DYA) ITE QFP-128 | IT8712F-A (DYA).pdf | ||
MA3056-L-(TX) | MA3056-L-(TX) PANA SMD or Through Hole | MA3056-L-(TX).pdf | ||
MLF2912E5R6KT000 | MLF2912E5R6KT000 TDK SMD or Through Hole | MLF2912E5R6KT000.pdf | ||
MN6617F | MN6617F PAN QFP | MN6617F.pdf |