창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD40N06-25L-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD40N06-25L-GE3 | |
관련 링크 | SQD40N06-, SQD40N06-25L-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TVX2E221MDD | 220µF 250V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | TVX2E221MDD.pdf | |
![]() | APT20GN60BDQ1G | IGBT 600V 40A 136W TO247 | APT20GN60BDQ1G.pdf | |
![]() | FDT1-052K | FDT1-052K MEAS SMD or Through Hole | FDT1-052K.pdf | |
![]() | RA200848XX | RA200848XX POWEREX MODULE | RA200848XX.pdf | |
![]() | TAC8S | TAC8S ST DIP-40P | TAC8S.pdf | |
![]() | TC17G014AP-0119 | TC17G014AP-0119 TOS SMD or Through Hole | TC17G014AP-0119.pdf | |
![]() | Z8F0831SJ020SG | Z8F0831SJ020SG ZILOG SMD or Through Hole | Z8F0831SJ020SG.pdf | |
![]() | ETRI300 | ETRI300 N/A DIP- | ETRI300.pdf | |
![]() | CLT435 | CLT435 Clairex TO46 | CLT435.pdf | |
![]() | BA6247/N | BA6247/N ROHM SMD or Through Hole | BA6247/N.pdf |