창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD15N06-42L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQD15N06-42L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-032-2014-Rev-0 31/Mar/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 535pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 37W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD15N06-42L-GE3 SQD15N06-42L-GE3-ND SQD15N06-42L_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD15N06-42L_GE3 | |
관련 링크 | SQD15N06-, SQD15N06-42L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
450MXC270MEFCSN35X35 | 270µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 450MXC270MEFCSN35X35.pdf | ||
AT0805DRD0733K2L | RES SMD 33.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD0733K2L.pdf | ||
RT1206CRE0725K5L | RES SMD 25.5KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE0725K5L.pdf | ||
1052-G80L-01R | 1052-G80L-01R ENTERY SMD or Through Hole | 1052-G80L-01R.pdf | ||
RC2010JR-07100RL 2010 100R | RC2010JR-07100RL 2010 100R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2010JR-07100RL 2010 100R.pdf | ||
L9997D | L9997D ST SOP20 | L9997D.pdf | ||
RDC00305-602 | RDC00305-602 DDC DIP | RDC00305-602.pdf | ||
10E131FN-LF | 10E131FN-LF MIS SMD or Through Hole | 10E131FN-LF.pdf | ||
ST7MDT20-DVP3 | ST7MDT20-DVP3 SMD/DIP ST | ST7MDT20-DVP3.pdf | ||
VJ9156Y471MXBBC31 | VJ9156Y471MXBBC31 VISHAY SMD or Through Hole | VJ9156Y471MXBBC31.pdf |