창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD15N06-42L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQD15N06-42L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-032-2014-Rev-0 31/Mar/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 535pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 37W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD15N06-42L-GE3 SQD15N06-42L-GE3-ND SQD15N06-42L_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQD15N06-42L_GE3 | |
관련 링크 | SQD15N06-, SQD15N06-42L_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 225P10491WA3 | ORANGE DROP | 225P10491WA3.pdf | |
![]() | SIT8008BC-73-33S-16.000000D | OSC XO 3.3V 16MHZ ST | SIT8008BC-73-33S-16.000000D.pdf | |
![]() | KIA7033AT | KIA7033AT KEC SMD or Through Hole | KIA7033AT.pdf | |
![]() | HD6417709SBP167V | HD6417709SBP167V NA BGA | HD6417709SBP167V.pdf | |
![]() | TLP755G | TLP755G TOS DIPSOP | TLP755G.pdf | |
![]() | 21511N | 21511N ORIGINAL NEW | 21511N.pdf | |
![]() | SF1806C221SDNB-T | SF1806C221SDNB-T SPECTRCIM SMD | SF1806C221SDNB-T.pdf | |
![]() | STC6345Y | STC6345Y ETC SOT23-6 | STC6345Y.pdf | |
![]() | DSP56002.ML68HC16 | DSP56002.ML68HC16 ORIGINAL SMD or Through Hole | DSP56002.ML68HC16.pdf | |
![]() | 82559EB | 82559EB INTEL BGA | 82559EB.pdf | |
![]() | UPD17012GF-556-3BE | UPD17012GF-556-3BE NEC QFP | UPD17012GF-556-3BE.pdf | |
![]() | HA1205T-I/SS | HA1205T-I/SS MICROCHIP SMD | HA1205T-I/SS.pdf |