창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ7414AEN-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ7414AEN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 5.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 980pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 62W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SQ7414AEN-T1-GE3 SQ7414AEN-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ7414AEN-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQ7414AEN, SQ7414AEN-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1886S1H4R5CZ01D | 4.5pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886S1H4R5CZ01D.pdf | |
![]() | CRCW060318K0DHECP | RES SMD 18K OHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW060318K0DHECP.pdf | |
![]() | EM78M612AAPJ | EM78M612AAPJ EMC DIP16 | EM78M612AAPJ.pdf | |
![]() | 688AA | 688AA GMT SOT23-3 | 688AA.pdf | |
![]() | 2N5909 | 2N5909 ORIGINAL TO | 2N5909.pdf | |
![]() | P1Z0505D | P1Z0505D PHI-CON DIP8 | P1Z0505D.pdf | |
![]() | ADP3330ART-2.5-REEL | ADP3330ART-2.5-REEL AD SOT26 | ADP3330ART-2.5-REEL.pdf | |
![]() | M29W128GL-70 | M29W128GL-70 ORIGINAL TSSOP | M29W128GL-70.pdf | |
![]() | 414265-6 | 414265-6 Delevan SMD or Through Hole | 414265-6.pdf | |
![]() | DS26C32CMX | DS26C32CMX NS SOP-16 | DS26C32CMX.pdf | |
![]() | 26-21SURC/S | 26-21SURC/S SMD SMD or Through Hole | 26-21SURC/S.pdf |