창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ4946AEY-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQ4946AEY-T1-GE3 | |
PCN 조립/원산지 | SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SQ4946AEY-T1-GE3 SQ4946AEY-T1-GE3-ND SQ4946AEY-T1_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQ4946AEY-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ4946AEY, SQ4946AEY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CDV30EH680GO3 | MICA | CDV30EH680GO3.pdf | |
![]() | CPF0603F261KC1 | RES SMD 261K OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F261KC1.pdf | |
![]() | FPQ-128-0.8-04A | FPQ-128-0.8-04A ENPLAS SMD or Through Hole | FPQ-128-0.8-04A.pdf | |
![]() | AM186ED-25VI/W | AM186ED-25VI/W AMD QFP | AM186ED-25VI/W.pdf | |
![]() | 600L1R8CT200T | 600L1R8CT200T ATC SMD | 600L1R8CT200T.pdf | |
![]() | HFBR-2416MZ | HFBR-2416MZ AVA SMD or Through Hole | HFBR-2416MZ.pdf | |
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![]() | PT7C5022A7ATAEX | PT7C5022A7ATAEX PTI SOT23-6 | PT7C5022A7ATAEX.pdf | |
![]() | E3R915P0212MHZ | E3R915P0212MHZ SANL SMD or Through Hole | E3R915P0212MHZ.pdf | |
![]() | MAZ508200L | MAZ508200L PAN SOT-89 | MAZ508200L.pdf |