홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » SQ4920EY-T1_GE3

Vishay BC Components SQ4920EY-T1_GE3

SQ4920EY-T1_GE3
제조업체 부품 번호
SQ4920EY-T1_GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
데이터 시트 다운로드
다운로드
SQ4920EY-T1_GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 840.64800
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SQ4920EY-T1_GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SQ4920EY-T1_GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SQ4920EY-T1_GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SQ4920EY-T1_GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SQ4920EY-T1_GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SQ4920EY-T1_GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SQ4920EY-T1-GE3
PCN 조립/원산지SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014
PCN 부품 번호New Ordering Code 19/Mar/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs14.5m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1465pF @ 15V
전력 - 최대4.4W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SQ4920EY-T1-GE3
SQ4920EY-T1-GE3-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SQ4920EY-T1_GE3
관련 링크SQ4920EY-, SQ4920EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SQ4920EY-T1_GE3 의 관련 제품
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 BC33725TFR.pdf
25C160 ORIGINAL DIP8 25C160.pdf
SMA4756 Secos SMA SMA4756.pdf
P0805Y2001FN VISHAY SMD P0805Y2001FN.pdf
KV1590NT TOKO SMD or Through Hole KV1590NT.pdf
RN2969FE TOSHIBA SOT-463 RN2969FE.pdf
LP3986TLX-2929/NOP ORIGINAL SMD or Through Hole LP3986TLX-2929/NOP.pdf
SLN2030P CIE TO-3P SLN2030P.pdf
CCR77CG202JR KEMET DIP CCR77CG202JR.pdf
ECEA1AKS221I pan SMD or Through Hole ECEA1AKS221I.pdf
LTC1387IGPBF LINEAR SSOP20 LTC1387IGPBF.pdf