창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ4470EY-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ4470EY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3165pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 7.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SQ4470EY-T1-GE3 SQ4470EY-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ4470EY-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQ4470EY-, SQ4470EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | GNV8R000 | 0.8 ~ 8pF Trimmer Capacitor 500V Side Adjustment Surface Mount 0.118" Dia x 0.470" L (3.00mm x 12.00mm) | GNV8R000.pdf | |
![]() | 4604X-101-151LF | RES ARRAY 3 RES 150 OHM 4SIP | 4604X-101-151LF.pdf | |
![]() | BZW30-324 | BZW30-324 ST SMD or Through Hole | BZW30-324.pdf | |
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![]() | CS5965AM | CS5965AM CypressSemiconduc SMD or Through Hole | CS5965AM.pdf | |
![]() | NDT4804NT4G | NDT4804NT4G ON DPAK | NDT4804NT4G.pdf | |
![]() | PTC0007-01G | PTC0007-01G YCL RJ45 | PTC0007-01G.pdf | |
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![]() | LM285BH-1.2/883 | LM285BH-1.2/883 NS CAN2 | LM285BH-1.2/883.pdf |