창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ4431EY-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ4431EY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1265pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SQ4431EY-T1-GE3 SQ4431EY-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ4431EY-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQ4431EY-, SQ4431EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RT1210DRD07931KL | RES SMD 931K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07931KL.pdf | |
![]() | 2.5V6.0F | 2.5V6.0F PowerStor SMD or Through Hole | 2.5V6.0F.pdf | |
![]() | TD62M8684A | TD62M8684A TOS SOP | TD62M8684A.pdf | |
![]() | HD14066FP | HD14066FP HIT SOP | HD14066FP.pdf | |
![]() | MI-J7L-IY | MI-J7L-IY VICOR SMD or Through Hole | MI-J7L-IY.pdf | |
![]() | HA22033GE TEL:82766440 | HA22033GE TEL:82766440 HITACHI SOT-153 | HA22033GE TEL:82766440.pdf | |
![]() | T2035H-600 | T2035H-600 ST TO220ICLIPTO22 | T2035H-600.pdf | |
![]() | LQLB2518T1R5M | LQLB2518T1R5M TAIYO SMD | LQLB2518T1R5M.pdf | |
![]() | HCPL-M61H-00E | HCPL-M61H-00E AGILENT SOP5 | HCPL-M61H-00E.pdf | |
![]() | 1-179030-5 | 1-179030-5 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1-179030-5.pdf | |
![]() | XPC860FZP50D4 | XPC860FZP50D4 MOTOROLA BGA | XPC860FZP50D4.pdf |