창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ4401EY-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ4401EY-T1-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 10.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 115nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4250pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 7.14W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SQ4401EY-T1-GE3 SQ4401EY-T1-GE3-ND SQ4401EY-T1_GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ4401EY-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQ4401EY-, SQ4401EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PD0120.152NLT | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 14.2A 3 mOhm Max Nonstandard | PD0120.152NLT.pdf | |
![]() | TPSE336K035R100 | TPSE336K035R100 AVX SMD or Through Hole | TPSE336K035R100.pdf | |
![]() | RSF3WSJT-73-100R | RSF3WSJT-73-100R PHYCOMP SMD or Through Hole | RSF3WSJT-73-100R.pdf | |
![]() | E5J88-14LJ24-L | E5J88-14LJ24-L Pulse SMD or Through Hole | E5J88-14LJ24-L.pdf | |
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![]() | XC62FP2802ML | XC62FP2802ML TOREX SMD or Through Hole | XC62FP2802ML.pdf | |
![]() | LOVB | LOVB AGILENT SMD or Through Hole | LOVB.pdf | |
![]() | SG4250Y | SG4250Y SG SMD or Through Hole | SG4250Y.pdf | |
![]() | LM1805IT-ADJ | LM1805IT-ADJ NS TO-263 | LM1805IT-ADJ.pdf | |
![]() | C5962 | C5962 SANYO TO-3P | C5962.pdf | |
![]() | HE2AN-Q-12V | HE2AN-Q-12V MICREL;MICREL; NULL | HE2AN-Q-12V.pdf |