창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ4284EY-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQ4284EY | |
PCN 조립/원산지 | SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SQ4284EY-T1-GE3 SQ4284EY-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQ4284EY-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ4284EY-, SQ4284EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
PLF0E561MC01 | 560µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 6 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | PLF0E561MC01.pdf | ||
HRG3216P-6342-D-T1 | RES SMD 63.4K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-6342-D-T1.pdf | ||
TC8062.1 | TC8062.1 PHILIPS SOP24 | TC8062.1.pdf | ||
M50963-462SP | M50963-462SP MIT DIP | M50963-462SP.pdf | ||
ICS420BGT | ICS420BGT MAXIM QFN-24 | ICS420BGT.pdf | ||
BA18BC0WT-V5 | BA18BC0WT-V5 ROHM TO220F-5 | BA18BC0WT-V5.pdf | ||
G2R-2A4 12VDC | G2R-2A4 12VDC OMRON SMD or Through Hole | G2R-2A4 12VDC.pdf | ||
SDR1006TTE680K | SDR1006TTE680K KOA SMD | SDR1006TTE680K.pdf | ||
56AEIVK | 56AEIVK ORIGINAL SMD or Through Hole | 56AEIVK.pdf | ||
FSDM0265RNB-FAIRCHILD | FSDM0265RNB-FAIRCHILD ORIGINAL SMD or Through Hole | FSDM0265RNB-FAIRCHILD.pdf | ||
GS2612S | GS2612S ORIGINAL SOP-8 | GS2612S.pdf |