창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ4284EY-T1_GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ4284EY | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
| PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SQ4284EY-T1-GE3 SQ4284EY-T1-GE3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ4284EY-T1_GE3 | |
| 관련 링크 | SQ4284EY-, SQ4284EY-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 2981321 | RELAY SAFETY | 2981321.pdf | |
![]() | CMF551K0000FHEB70 | RES 1K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K0000FHEB70.pdf | |
![]() | 361-0014-02 | 361-0014-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 361-0014-02.pdf | |
![]() | T7S00155 | T7S00155 Powerex Module | T7S00155.pdf | |
![]() | E5108AG-GE-E | E5108AG-GE-E EL BGA | E5108AG-GE-E.pdf | |
![]() | TS056KAAAD01 | TS056KAAAD01 TIANMA N A | TS056KAAAD01.pdf | |
![]() | R3130N20EA | R3130N20EA RICOH SOT-23-3 | R3130N20EA.pdf | |
![]() | BTA216-600F | BTA216-600F NXP TO-220 | BTA216-600F.pdf | |
![]() | 23005B7B110 | 23005B7B110 axicom 5bulk | 23005B7B110.pdf | |
![]() | DM10151-H5J9-4F | DM10151-H5J9-4F FOXCONN SMD or Through Hole | DM10151-H5J9-4F.pdf | |
![]() | SN74LS20DR | SN74LS20DR TI SOP3.9 | SN74LS20DR.pdf | |
![]() | MEK05-04-D 3T | MEK05-04-D 3T ORIGINAL SOD-323-T | MEK05-04-D 3T.pdf |