창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SQ3442EV-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SQ3442EV | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | SQ Automotive Qualified MOSFETs | |
| PCN 단종/ EOL | PCN- SIL-0472014 Rev1 20/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 405pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SQ3442EV-T1-GE3CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SQ3442EV-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SQ3442EV-, SQ3442EV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | FDC6561C | FDC6561C FAIRCHIL SOT23-6 | FDC6561C.pdf | |
![]() | MB3800ANF | MB3800ANF ORIGINAL SOP | MB3800ANF.pdf | |
![]() | AD5201BRN50 | AD5201BRN50 AD MSOP-10 | AD5201BRN50.pdf | |
![]() | PEG091BFU4 | PEG091BFU4 PIONEER/ SMD or Through Hole | PEG091BFU4.pdf | |
![]() | GBJ15010 | GBJ15010 TSC/LT SMD or Through Hole | GBJ15010.pdf | |
![]() | H224 | H224 HARRIS SOP | H224.pdf | |
![]() | 2SB1260 T100R1 | 2SB1260 T100R1 ROHM SOT-89 | 2SB1260 T100R1.pdf | |
![]() | LTD-4608JR | LTD-4608JR Lite-On LED7-SEG.402DGT | LTD-4608JR.pdf | |
![]() | SP3232EUEY-L | SP3232EUEY-L SIPEX TSSOP-16 | SP3232EUEY-L.pdf | |
![]() | XC2C512-7PQG208I | XC2C512-7PQG208I XILINX QFP | XC2C512-7PQG208I.pdf | |
![]() | D502J12G215PQA | D502J12G215PQA CK SMD or Through Hole | D502J12G215PQA.pdf |