창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPW21N50C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPW21N50C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 13.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | SP000014464 SPW21N50C3FKSA1 SPW21N50C3IN SPW21N50C3X SPW21N50C3XK SPW21N50C3XTIN SPW21N50C3XTIN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPW21N50C3 | |
관련 링크 | SPW21N, SPW21N50C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TNPW1210301KBEEA | RES SMD 301K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210301KBEEA.pdf | |
![]() | CW01047R00JB123 | RES 47 OHM 13W 5% AXIAL | CW01047R00JB123.pdf | |
![]() | BCM5461SA1IPF P11 | BCM5461SA1IPF P11 BROADCOM BGA | BCM5461SA1IPF P11.pdf | |
![]() | K4T51163QJ-HCF7 | K4T51163QJ-HCF7 SAMSUNG BGA84 | K4T51163QJ-HCF7.pdf | |
![]() | M46Z128Y-85PM1 | M46Z128Y-85PM1 STM DIP | M46Z128Y-85PM1.pdf | |
![]() | FQS4903TF. | FQS4903TF. MAXIM QFP | FQS4903TF..pdf | |
![]() | KS5514B-2 | KS5514B-2 SEC DIP-24P | KS5514B-2.pdf | |
![]() | 1.5SMCJ9.1A | 1.5SMCJ9.1A VISHAY SMC | 1.5SMCJ9.1A.pdf | |
![]() | MAX6492TB33A3+T | MAX6492TB33A3+T MAXIM QFN-10 | MAX6492TB33A3+T.pdf | |
![]() | CS8120500D14 | CS8120500D14 ON SMD or Through Hole | CS8120500D14.pdf | |
![]() | 110.00M | 110.00M EPSON SMD or Through Hole | 110.00M.pdf |