창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPW07N60CFDFKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPW07N60CFD | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 단종/ EOL | SPW07N60CFDFKSA1 EOL 11/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | SP000264430 SPW07N60CFD SPW07N60CFD-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPW07N60CFDFKSA1 | |
관련 링크 | SPW07N60C, SPW07N60CFDFKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0603D620GXCAJ | 62pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D620GXCAJ.pdf | ||
335K20AE | 335K20AE SPP SMD or Through Hole | 335K20AE.pdf | ||
CM33251R0K | CM33251R0K ORIGINAL 3225 | CM33251R0K.pdf | ||
8132M-ALTE | 8132M-ALTE ATHFROS QFN | 8132M-ALTE.pdf | ||
SFP12N60 | SFP12N60 SemiWell TO-220 | SFP12N60.pdf | ||
TG102M1VTR-1327 | TG102M1VTR-1327 SRG SMD or Through Hole | TG102M1VTR-1327.pdf | ||
HHV1WSFT-73-2M | HHV1WSFT-73-2M YAGEO DIP | HHV1WSFT-73-2M.pdf | ||
GYA14 | GYA14 GTM SOT-223 | GYA14.pdf | ||
FAGB1312C-TF | FAGB1312C-TF STANLEY PB-FREE | FAGB1312C-TF.pdf | ||
MA423 | MA423 TOSHIBA SIP5 | MA423.pdf | ||
bcm5802krm | bcm5802krm BROADCOM bga | bcm5802krm.pdf |