창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPT01-335DEE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPT01-335DEE | |
기타 관련 문서 | SPT01-335DEE View All Specifications | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SPT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 3 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 33V | |
전압 - 항복(최소) | 38V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 46V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 100W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-VQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6+3-QFN(3x3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPT01-335DEE | |
관련 링크 | SPT01-3, SPT01-335DEE 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | SQCB7M8R2JA1ME | 8.2pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M8R2JA1ME.pdf | |
![]() | 1N6057A | TVS DIODE 47VWM 77VC DO13 | 1N6057A.pdf | |
![]() | IXTU2N80P | MOSFET N-CH TO-251 | IXTU2N80P.pdf | |
![]() | PE-1008CM271KTT | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 500 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CM271KTT.pdf | |
![]() | DT52005T4 | DT52005T4 ORIGINAL QFP32 | DT52005T4.pdf | |
![]() | MM58146 | MM58146 ORIGINAL DIP22 | MM58146.pdf | |
![]() | K6R1004V1D-KC10 | K6R1004V1D-KC10 SAMSUNG SOJ32 | K6R1004V1D-KC10.pdf | |
![]() | MBRF1650 | MBRF1650 VISHAY SMD or Through Hole | MBRF1650.pdf | |
![]() | 2SC1815L T/B | 2SC1815L T/B UTC TO92 | 2SC1815L T/B.pdf | |
![]() | SSS7N60A,SSS7N60B | SSS7N60A,SSS7N60B FSC/ SMD or Through Hole | SSS7N60A,SSS7N60B.pdf | |
![]() | MPC8572EVTAVNB | MPC8572EVTAVNB FEL BGA | MPC8572EVTAVNB.pdf | |
![]() | 2SA1727-P | 2SA1727-P ROHM TO-251 | 2SA1727-P.pdf |