창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP08P06PHXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP08P06P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 420pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000446908 SPP08P06P G SPP08P06P G-ND SPP08P06P H SPP08P06P H-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP08P06PHXKSA1 | |
| 관련 링크 | SPP08P06P, SPP08P06PHXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MCF-25JR-3K9 | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/4W MELF | MCF-25JR-3K9.pdf | |
![]() | P51-75-A-J-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-A-J-I36-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | cb027c0104kba | cb027c0104kba avxCl SMD or Through Hole | cb027c0104kba.pdf | |
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![]() | RXM4AB2JD | RXM4AB2JD ORIGINAL SMD or Through Hole | RXM4AB2JD.pdf | |
![]() | SGM3005 | SGM3005 SGM MSOP-10 | SGM3005.pdf | |
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![]() | NC7WZ04FK | NC7WZ04FK TOSHIBA VSSOP8 | NC7WZ04FK.pdf | |
![]() | XQ2V4000-4BF957N | XQ2V4000-4BF957N XILINX BGA | XQ2V4000-4BF957N.pdf | |
![]() | 38212000510 | 38212000510 LITTELFUSE DIP | 38212000510.pdf | |
![]() | FC810M1375C | FC810M1375C ORIGINAL BGA | FC810M1375C.pdf | |
![]() | U.FL-2LP-068N2-A(100) | U.FL-2LP-068N2-A(100) HIROSE Conn | U.FL-2LP-068N2-A(100).pdf |