창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP08N80C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPP08N80C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 5.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 470µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000013704 SP000683156 SPP08N80C3IN SPP08N80C3X SPP08N80C3XK SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3XTIN SPP08N80C3XTIN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP08N80C3 | |
관련 링크 | SPP08N, SPP08N80C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ECW-H10823JVB | 0.082µF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.433" W (23.00mm x 11.00mm) | ECW-H10823JVB.pdf | |
![]() | SIT8008AI-13-33S-50.000000D | OSC XO 3.3V 50MHZ ST | SIT8008AI-13-33S-50.000000D.pdf | |
![]() | 7C-48.000MDB-T | 48MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 20mA Enable/Disable | 7C-48.000MDB-T.pdf | |
![]() | AA1218FK-0715K8L | RES SMD 15.8K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-0715K8L.pdf | |
![]() | TNPW1206220RBETA | RES SMD 220 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206220RBETA.pdf | |
![]() | M6134A | M6134A ORIGINAL SOP-8 | M6134A.pdf | |
![]() | PT8A996S | PT8A996S PTC SOP20 | PT8A996S.pdf | |
![]() | IRS2168DP | IRS2168DP IR SMD or Through Hole | IRS2168DP.pdf | |
![]() | SP-GB-TX-CNFM | SP-GB-TX-CNFM SOURCE RJ-45 | SP-GB-TX-CNFM.pdf | |
![]() | ME8026-G | ME8026-G ORIGINAL SOP-8 | ME8026-G.pdf | |
![]() | AM9516PC4 | AM9516PC4 AMD DIP40 | AM9516PC4.pdf |