Infineon Technologies SPP04N80C3
- 제조업체 부품 번호
- SPP04N80C3
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SPP04N80C3 가격 및 조달
가능 수량
8807 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 796.91000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SPP04N80C3 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. SPP04N80C3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SPP04N80C3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SPP04N80C3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPP04N80C3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP04N80C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP04N80C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000013706 SP000683152 SPP04N80C3IN SPP04N80C3X SPP04N80C3XK SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XTIN SPP04N80C3XTIN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP04N80C3 | |
| 관련 링크 | SPP04N, SPP04N80C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
SPP04N80C3 의 관련 제품
 | BFC237521102 | 1000pF Film Capacitor 400V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.571" L x 0.236" W (14.50mm x 6.00mm) | BFC237521102.pdf | |
 | ACM2012D-900-2P-T00 | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 90 Ohm @ 100MHz 300mA DCR 300 mOhm | ACM2012D-900-2P-T00.pdf | |
 | ISC1210EBR15M | 150nH Shielded Wirewound Inductor 600mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210EBR15M.pdf | |
| AA0402FR-07453KL | RES SMD 453K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-07453KL.pdf | |
| M5M27C401K-12 | M5M27C401K-12 MIT DIP | M5M27C401K-12.pdf | |
| ISE40-T1-22 | ISE40-T1-22 SMC SMD or Through Hole | ISE40-T1-22.pdf | |
| SMC62A33DOS | SMC62A33DOS EPSON SMD or Through Hole | SMC62A33DOS.pdf | |
| HD6433397FVC11 | HD6433397FVC11 HITACHI QFP | HD6433397FVC11.pdf | |
| ED18L32128C | ED18L32128C ORIGINAL PLCC68 | ED18L32128C.pdf | |
| TEMSVA20J225 | TEMSVA20J225 NEC A | TEMSVA20J225.pdf | |
| QMV70BWI | QMV70BWI QMV CDIP | QMV70BWI.pdf |