창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP02N80C3XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP02N80C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000683150 SPP02N80C3 SPP02N80C3IN SPP02N80C3IN-ND SPP02N80C3X SPP02N80C3XK SPP02N80C3XTIN SPP02N80C3XTIN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP02N80C3XKSA1 | |
| 관련 링크 | SPP02N80C, SPP02N80C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 445W3XF24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XF24M57600.pdf | |
![]() | CMF5536K500FEEA | RES 36.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5536K500FEEA.pdf | |
![]() | MB87014AFP | MB87014AFP FUJITSU SOP-16 | MB87014AFP.pdf | |
![]() | 334-10-109-00-060000 | 334-10-109-00-060000 MLL SMD or Through Hole | 334-10-109-00-060000.pdf | |
![]() | EBLS1608-R22K | EBLS1608-R22K ORIGINAL SMD or Through Hole | EBLS1608-R22K.pdf | |
![]() | UC3709DWTRG4 | UC3709DWTRG4 TI SOP16 | UC3709DWTRG4.pdf | |
![]() | VE07M00950K | VE07M00950K AVX DIP | VE07M00950K.pdf | |
![]() | MB3802PF-G-BND-ER | MB3802PF-G-BND-ER FUJITSU SOP | MB3802PF-G-BND-ER.pdf | |
![]() | MKHB29MT-03 | MKHB29MT-03 ST DLCC68 | MKHB29MT-03.pdf | |
![]() | RTBN141P | RTBN141P IDC SOT-89 | RTBN141P.pdf | |
![]() | QS70261A-25TF | QS70261A-25TF IDT TQFP | QS70261A-25TF.pdf |