창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPI80N08S2-07R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPI80N08S2-07R | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 03/Jun/2008 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000013717 SPI80N08S207R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPI80N08S2-07R | |
| 관련 링크 | SPI80N08, SPI80N08S2-07R 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D390KXPAJ | 39pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D390KXPAJ.pdf | |
![]() | 2510R-82K | 270µH Unshielded Inductor 35mA 37 Ohm Max 2-SMD | 2510R-82K.pdf | |
![]() | 0251.750NRTIL | 0251.750NRTIL LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0251.750NRTIL.pdf | |
![]() | SD2000AP-D | SD2000AP-D REAL DIP23 | SD2000AP-D.pdf | |
![]() | 20PM704 | 20PM704 YCL SOP | 20PM704.pdf | |
![]() | SC527816CDWE | SC527816CDWE MOT SMD or Through Hole | SC527816CDWE.pdf | |
![]() | KIA6216 | KIA6216 KEC ZIP | KIA6216.pdf | |
![]() | EXB-S8V102J | EXB-S8V102J panasonic SMD | EXB-S8V102J.pdf | |
![]() | BTA16-600BW/800BW | BTA16-600BW/800BW ST SMD or Through Hole | BTA16-600BW/800BW.pdf | |
![]() | M3004B1 | M3004B1 ST SMD or Through Hole | M3004B1.pdf | |
![]() | B65811J630J41 | B65811J630J41 TDK-EPC SMD or Through Hole | B65811J630J41.pdf | |
![]() | SII8485ECB | SII8485ECB INTERSIL SOP-8 | SII8485ECB.pdf |