창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPI80N03S2L-06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SP(I,P,B)80N03S2L-06 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Oct/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 80µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000016265 SPI80N03S2L06X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPI80N03S2L-06 | |
관련 링크 | SPI80N03, SPI80N03S2L-06 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
W3A41A151KAT2A | 150pF Isolated Capacitor 4 Array 100V C0G, NP0 0612 (1632 Metric) 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) | W3A41A151KAT2A.pdf | ||
3090-121K | 120nH Unshielded Inductor 870mA 100 mOhm Max Nonstandard | 3090-121K.pdf | ||
RNF18CTD1K02 | RES 1.02K OHM 1/8W .25% AXIAL | RNF18CTD1K02.pdf | ||
CH4-6323 | CH4-6323 ORIGINAL PGA | CH4-6323.pdf | ||
1012N7C3 | 1012N7C3 RAYTHEON DIP24 | 1012N7C3.pdf | ||
P2349MF | P2349MF ORIGINAL SOP | P2349MF .pdf | ||
HT-1104(KNOB) | HT-1104(KNOB) NoVendorResistra SMD or Through Hole | HT-1104(KNOB).pdf | ||
10K-9 | 10K-9 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10K-9.pdf | ||
S2956-8BK | S2956-8BK HAMAMATSU CAN2 | S2956-8BK.pdf | ||
PJGBLC12T/R | PJGBLC12T/R PANJIT SOD-323 | PJGBLC12T/R.pdf | ||
LB6851 | LB6851 SANYO SMD or Through Hole | LB6851.pdf | ||
ADC-16QM | ADC-16QM AD SMD or Through Hole | ADC-16QM.pdf |