창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPI20N60C3XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SP(P,I,A)20N60C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008 | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 13.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 114nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000681006 SPI20N60C3 SPI20N60C3-ND SPI20N60C3IN SPI20N60C3IN-ND SPI20N60C3X SPI20N60C3XK | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPI20N60C3XKSA1 | |
| 관련 링크 | SPI20N60C, SPI20N60C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C0805F332M5RACTU | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805F332M5RACTU.pdf | |
![]() | ATV06B181J-HF | TVS DIODE 180VWM 291.6VC DO214AA | ATV06B181J-HF.pdf | |
![]() | SIT9120AI-2D3-33E106.250000X | 106.25MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | SIT9120AI-2D3-33E106.250000X.pdf | |
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![]() | A2412JS-1W | A2412JS-1W MORNSUN SIP | A2412JS-1W.pdf | |
![]() | EVIC420B | EVIC420B IXYS SMD or Through Hole | EVIC420B.pdf | |
![]() | LMP8603QMME/NOPB | LMP8603QMME/NOPB NS NA | LMP8603QMME/NOPB.pdf | |
![]() | JR1-24V | JR1-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | JR1-24V.pdf | |
![]() | 2DI100A-1K EV1255 | 2DI100A-1K EV1255 FUJI SMD or Through Hole | 2DI100A-1K EV1255.pdf |