창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPI11N65C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SP(P,A,I)11N65C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000680994 SPI11N65C3 SPI11N65C3-ND SPI11N65C3IN SPI11N65C3IN-ND SPI11N65C3X SPI11N65C3XK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPI11N65C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPI11N65C, SPI11N65C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0603D240MXPAJ | 24pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D240MXPAJ.pdf | ||
VJ1210Y122JBLAT4X | 1200pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y122JBLAT4X.pdf | ||
20017 | 20017 ERICSSON SMD or Through Hole | 20017.pdf | ||
MC14025UB | MC14025UB MOT DIP | MC14025UB.pdf | ||
PRFG35010BN | PRFG35010BN moto SMD or Through Hole | PRFG35010BN.pdf | ||
4073215-977A | 4073215-977A CATALYST TSOP-32P | 4073215-977A.pdf | ||
Z08038O6CMB/883C | Z08038O6CMB/883C ORIGINAL CDIP | Z08038O6CMB/883C.pdf | ||
D4275 | D4275 ORIGINAL SMD or Through Hole | D4275.pdf | ||
LT620010 | LT620010 Linear SOP8 | LT620010.pdf | ||
MAX185CWG | MAX185CWG MAXIM SOP | MAX185CWG.pdf | ||
SHQ2943H | SHQ2943H MOT DIP | SHQ2943H.pdf |