창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPI11N65C3HKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SP(P,A,I)11N65C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000014526 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPI11N65C3HKSA1 | |
| 관련 링크 | SPI11N65C, SPI11N65C3HKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AI-13-33E-17.734470E | OSC XO 3.3V 17.73447MHZ | SIT8008AI-13-33E-17.734470E.pdf | |
![]() | Y16322K00000B0W | RES SMD 2K OHM 0.1% 0.4W 2010 | Y16322K00000B0W.pdf | |
![]() | RNF12DTD200K | RES 200K OHM 1/2W .5% AXIAL | RNF12DTD200K.pdf | |
![]() | LM1117LDX-3.3/NOPB | LM1117LDX-3.3/NOPB NATIONAL SMD or Through Hole | LM1117LDX-3.3/NOPB.pdf | |
![]() | VDO-A920S | VDO-A920S ALCATEL DIP-18 | VDO-A920S.pdf | |
![]() | MT48LC4M16A2TG-75 C | MT48LC4M16A2TG-75 C MICRON TSOP54 | MT48LC4M16A2TG-75 C.pdf | |
![]() | T85C5121-S3SIL | T85C5121-S3SIL N/A NA | T85C5121-S3SIL.pdf | |
![]() | NSAM266PH/V | NSAM266PH/V NS PLCC | NSAM266PH/V.pdf | |
![]() | J01001A0019 | J01001A0019 TELEGARTNER SMD or Through Hole | J01001A0019.pdf | |
![]() | CZA06S04040050LRT | CZA06S04040050LRT VISHAY SMD or Through Hole | CZA06S04040050LRT.pdf | |
![]() | SG-8002JC P | SG-8002JC P EPSON SMD or Through Hole | SG-8002JC P.pdf | |
![]() | MA2SD10 TEL:82766440 | MA2SD10 TEL:82766440 Panasonic SOD423 | MA2SD10 TEL:82766440.pdf |