창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD50N03S2L06T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD50N03S2L-06 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 85µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SPD50N03S2L06XTINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD50N03S2L06T | |
관련 링크 | SPD50N03, SPD50N03S2L06T 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MAL213660102E3 | 1000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | MAL213660102E3.pdf | ||
SIT8008BI-32-18E-80.000000T | OSC XO 1.8V 80MHZ OE | SIT8008BI-32-18E-80.000000T.pdf | ||
CRA06S0833K00JTA | RES ARRAY 4 RES 3K OHM 1206 | CRA06S0833K00JTA.pdf | ||
CP0005270R0KB14100 | RES 270 OHM 5W 10% AXIAL | CP0005270R0KB14100.pdf | ||
PI74LPT244CQEX | PI74LPT244CQEX PERICOM SSOP | PI74LPT244CQEX.pdf | ||
MAX3456CPD | MAX3456CPD MAXIM DIP14 | MAX3456CPD.pdf | ||
EVQQW03W | EVQQW03W panasonic SMD or Through Hole | EVQQW03W.pdf | ||
M59DR016C-120EB6 | M59DR016C-120EB6 ST BGA-M48P | M59DR016C-120EB6.pdf | ||
G6SK-2G-4.5V | G6SK-2G-4.5V ORIGINAL SMD or Through Hole | G6SK-2G-4.5V.pdf | ||
GM5861-LF | GM5861-LF GEMESIS QFP208 | GM5861-LF.pdf | ||
MT86M010A | MT86M010A MT DIP | MT86M010A.pdf | ||
4501W | 4501W ORIGINAL SOP-8 | 4501W.pdf |