창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD06N80C3ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD06N80C3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 785pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001117772 SPD06N80C3ATMA1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD06N80C3ATMA1 | |
관련 링크 | SPD06N80C, SPD06N80C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SQCB7M0R1BAJWE | 0.10pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M0R1BAJWE.pdf | ||
RT1210FRE075R62L | RES SMD 5.62 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRE075R62L.pdf | ||
C478PB | C478PB GE SMD or Through Hole | C478PB.pdf | ||
HZ1005K471TF | HZ1005K471TF sunlord/ SMD or Through Hole | HZ1005K471TF.pdf | ||
MAX336CPI | MAX336CPI MAXIM DIP28 | MAX336CPI.pdf | ||
L-813SRD | L-813SRD PARA LED | L-813SRD.pdf | ||
CS-4-12YTA | CS-4-12YTA COPAL SMD | CS-4-12YTA.pdf | ||
SST85LD0256-120-5C-44CN-K | SST85LD0256-120-5C-44CN-K SST SMD or Through Hole | SST85LD0256-120-5C-44CN-K.pdf | ||
M164 | M164 ORIGINAL CAN | M164.pdf | ||
618-203-50-1-2-00-NYU | 618-203-50-1-2-00-NYU GAIA SOP8 | 618-203-50-1-2-00-NYU.pdf | ||
l-56bid | l-56bid kbe SMD or Through Hole | l-56bid.pdf | ||
DAC8800FS/PMI | DAC8800FS/PMI ORIGINAL SMD or Through Hole | DAC8800FS/PMI.pdf |