창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD04N80C3ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD04N80C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001117768 SPD04N80C3ATMA1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD04N80C3ATMA1 | |
관련 링크 | SPD04N80C, SPD04N80C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UCY2E820MHD9TO | 82µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2E820MHD9TO.pdf | ||
12062A151JAT2A | 150pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12062A151JAT2A.pdf | ||
KRL3216T4A-M-R006-F-T5 | RES SMD 0.006 OHM 1W 1206 WIDE | KRL3216T4A-M-R006-F-T5.pdf | ||
RY-SP150SRX4 | RY-SP150SRX4 APEX ROHS | RY-SP150SRX4.pdf | ||
HLMP-2316 | HLMP-2316 Agilent DIP | HLMP-2316.pdf | ||
SH730 | SH730 ORIGINAL SMD or Through Hole | SH730.pdf | ||
PSD402A2-C-15J | PSD402A2-C-15J WSI PLCC | PSD402A2-C-15J.pdf | ||
AD8217BRMZ-RL | AD8217BRMZ-RL ADI MSOP-8 | AD8217BRMZ-RL.pdf | ||
3RP200L-8 | 3RP200L-8 BrightKing DIP | 3RP200L-8.pdf | ||
QSDL-E1114 | QSDL-E1114 ORIGINAL SMD or Through Hole | QSDL-E1114.pdf | ||
XC2S20-5TQ144C | XC2S20-5TQ144C XILINX QFP | XC2S20-5TQ144C.pdf | ||
MC34018DWR3 | MC34018DWR3 MOT SOP | MC34018DWR3.pdf |