창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD04N50C3ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPD04N50C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 2.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 470pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-1 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001117762 SPD04N50C3ATMA1-ND SPD04N50C3ATMA1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPD04N50C3ATMA1 | |
| 관련 링크 | SPD04N50C, SPD04N50C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SR071A101JAT | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR071A101JAT.pdf | |
![]() | VS-16CTQ100S-M3 | DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK | VS-16CTQ100S-M3.pdf | |
![]() | CRCW0805649KFKTB | RES SMD 649K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805649KFKTB.pdf | |
![]() | TEST2600 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE VIEW | TEST2600.pdf | |
![]() | 31-203 (UG-290A/U) | 31-203 (UG-290A/U) AMP SMD or Through Hole | 31-203 (UG-290A/U).pdf | |
![]() | HWH2905A01C | HWH2905A01C MAXIM SOD-523 | HWH2905A01C.pdf | |
![]() | AN6154 | AN6154 AN SMD | AN6154.pdf | |
![]() | TS9007CQRF | TS9007CQRF ORIGINAL QFN | TS9007CQRF.pdf | |
![]() | CDA-15S(05) | CDA-15S(05) HRS SMD or Through Hole | CDA-15S(05).pdf | |
![]() | PEB2466HV12 | PEB2466HV12 SIEMENS QFP | PEB2466HV12.pdf | |
![]() | CDRH73-221 | CDRH73-221 HZ SMD or Through Hole | CDRH73-221.pdf | |
![]() | TP52Q061 | TP52Q061 N/A N A | TP52Q061.pdf |