창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD02N80C3ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD02N80C3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001117754 SPD02N80C3ATMA1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD02N80C3ATMA1 | |
관련 링크 | SPD02N80C, SPD02N80C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CC1210MKX5R5BB107 | 100µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CC1210MKX5R5BB107.pdf | ||
C0805C101G5GALTU | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C101G5GALTU.pdf | ||
SQCB9M121JATWE | 120pF 300V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB9M121JATWE.pdf | ||
ERJ-PA3D5760V | RES SMD 576 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D5760V.pdf | ||
AR1206FR-0730RL | RES SMD 30 OHM 1% 1/4W 1206 | AR1206FR-0730RL.pdf | ||
TNPW060369K0BEEA | RES SMD 69K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060369K0BEEA.pdf | ||
RT1727B6TR7 | RES NTWRK 24 RES MULT OHM 32LBGA | RT1727B6TR7.pdf | ||
HD6417707RF60AV | HD6417707RF60AV RENESAS QFP208 | HD6417707RF60AV.pdf | ||
E-13601 | E-13601 ORIGINAL SMD or Through Hole | E-13601.pdf | ||
5-569530-3 C | 5-569530-3 C TEConnectivity SMD or Through Hole | 5-569530-3 C.pdf | ||
5179-0473 | 5179-0473 molex SMD or Through Hole | 5179-0473.pdf |