창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPB80P06P G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPB80P06P G | |
| 카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 64A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5033pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 340W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000096088 SPB80P06P G-ND SPB80P06PG SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGINTR SPB80P06PGXT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPB80P06P G | |
| 관련 링크 | SPB80P, SPB80P06P G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FSTUD32450G | FSTUD32450G FSC Call | FSTUD32450G.pdf | |
![]() | 104MT160K | 104MT160K IR SMD or Through Hole | 104MT160K.pdf | |
![]() | LRC-LR1206-01-R080-F | LRC-LR1206-01-R080-F IRC SMD | LRC-LR1206-01-R080-F.pdf | |
![]() | XC3064TM | XC3064TM XILINX PGA-175 | XC3064TM.pdf | |
![]() | VSB-12TB-VS | VSB-12TB-VS TAKAMISAWA SMD or Through Hole | VSB-12TB-VS.pdf | |
![]() | GS7119ST-1P2-R | GS7119ST-1P2-R GSTEK SMD or Through Hole | GS7119ST-1P2-R.pdf | |
![]() | BCM5388QKPBQ | BCM5388QKPBQ BROADCOM BGA | BCM5388QKPBQ.pdf | |
![]() | by1800 | by1800 dio SMD or Through Hole | by1800.pdf | |
![]() | MAX1630EAI/CAI | MAX1630EAI/CAI MAXIM SMD | MAX1630EAI/CAI.pdf | |
![]() | 67354-13/003 | 67354-13/003 RADIALL SMD or Through Hole | 67354-13/003.pdf | |
![]() | BDX53N | BDX53N ST TO220 | BDX53N.pdf | |
![]() | EVBTB62209FG/LEER | EVBTB62209FG/LEER Glyn SMD or Through Hole | EVBTB62209FG/LEER.pdf |