창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPB20N60C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPB20N60C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 13.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 114nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000013520 SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3INTR SPB20N60C3XT SPB20N60C3XT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPB20N60C3 | |
| 관련 링크 | SPB20N, SPB20N60C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B41827B7337M | 330µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | B41827B7337M.pdf | |
![]() | 416F27011CDR | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27011CDR.pdf | |
![]() | TG-5035CJ-12N 26.0000M0 | 26MHz VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA | TG-5035CJ-12N 26.0000M0.pdf | |
![]() | US2M-TP | DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA | US2M-TP.pdf | |
![]() | R1LP0108ESF-5SR | R1LP0108ESF-5SR Renesas TSOP(32) | R1LP0108ESF-5SR.pdf | |
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![]() | UPD17P012GF | UPD17P012GF NEC QFP | UPD17P012GF.pdf | |
![]() | M61H | M61H SHARP SOP5 | M61H.pdf | |
![]() | MFBT-S69-9 | MFBT-S69-9 TEMIC QFP | MFBT-S69-9.pdf | |
![]() | T2K110BJ223KB-T | T2K110BJ223KB-T TAIYO SMD | T2K110BJ223KB-T.pdf | |
![]() | HDSP315GCATM | HDSP315GCATM avago SMD or Through Hole | HDSP315GCATM.pdf | |
![]() | SBUT11 | SBUT11 FAIRCHILD DIP | SBUT11.pdf |