창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPB11N60C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPB11N60C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000013519 SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3INTR SPB11N60C3XT SPB11N60C3XTINTR SPB11N60C3XTINTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPB11N60C3 | |
관련 링크 | SPB11N, SPB11N60C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | ECJ-2VB1E823K | 0.082µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2VB1E823K.pdf | |
![]() | RCP0603W620RJEC | RES SMD 620 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W620RJEC.pdf | |
![]() | VSP2436 | VSP2436 BB BGA | VSP2436.pdf | |
![]() | LV7720DEV-100.0M | LV7720DEV-100.0M PLETRONICS SMD | LV7720DEV-100.0M.pdf | |
![]() | ASI92900536SF | ASI92900536SF ASI SMD or Through Hole | ASI92900536SF.pdf | |
![]() | MT29F1G01ZACM58A2WC1 | MT29F1G01ZACM58A2WC1 MICRON WAFER | MT29F1G01ZACM58A2WC1.pdf | |
![]() | ACM2012-261-2P-T00 | ACM2012-261-2P-T00 TDK SMD | ACM2012-261-2P-T00.pdf | |
![]() | M5721C1 | M5721C1 ALI TQFP-L208P | M5721C1.pdf | |
![]() | MAX17896EUI+T | MAX17896EUI+T MAXIM SOP28 | MAX17896EUI+T.pdf | |
![]() | SI2457-KS | SI2457-KS SI SOP | SI2457-KS.pdf | |
![]() | MTGB1101 | MTGB1101 MT SSOP | MTGB1101.pdf |