창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPA20N60CFDXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPA20N60CFD | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 13.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 124nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000216361 SPA20N60CFD SPA20N60CFD-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPA20N60CFDXKSA1 | |
| 관련 링크 | SPA20N60C, SPA20N60CFDXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | F339MX242231JFI2B0 | 0.22µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | F339MX242231JFI2B0.pdf | |
![]() | RB111C T100 | RB111C T100 ROHM SOT-89 | RB111C T100.pdf | |
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![]() | TDA050T | TDA050T TOSHIBA SMD or Through Hole | TDA050T.pdf | |
![]() | RC2010JK-0751R | RC2010JK-0751R YAGEO 2010 | RC2010JK-0751R.pdf | |
![]() | AT93066SC27 | AT93066SC27 AT SOP | AT93066SC27.pdf | |
![]() | UPD45128841G5-A75- | UPD45128841G5-A75- Elpida SMD or Through Hole | UPD45128841G5-A75-.pdf | |
![]() | I82532RGE | I82532RGE INTEL BGA | I82532RGE.pdf | |
![]() | LMCI1608-10NKT | LMCI1608-10NKT VENKEL SMD | LMCI1608-10NKT.pdf | |
![]() | ECKDNB221MB | ECKDNB221MB PANASONIC SMD or Through Hole | ECKDNB221MB.pdf |