창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SP8K2TB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SP8K2 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.1nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP8K2TB-ND SP8K2TBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SP8K2TB | |
관련 링크 | SP8K, SP8K2TB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | EEV-FC1H470P | 47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EEV-FC1H470P.pdf | |
![]() | 416F37413ASR | 37.4MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37413ASR.pdf | |
![]() | LQW2BASR82J00L | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 2.35 Ohm Max 0806 (2015 Metric) | LQW2BASR82J00L.pdf | |
![]() | RC2012F22R1CS | RES SMD 22.1 OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F22R1CS.pdf | |
![]() | MAX221EEAE+ | MAX221EEAE+ MAXIM SSOP | MAX221EEAE+.pdf | |
![]() | KBE00H00BM-D413000 | KBE00H00BM-D413000 SAMSUNG SMD or Through Hole | KBE00H00BM-D413000.pdf | |
![]() | B59233 1037350115 | B59233 1037350115 INFINEON QFP | B59233 1037350115.pdf | |
![]() | 09P-183J-50 | 09P-183J-50 Fastron SMD or Through Hole | 09P-183J-50.pdf | |
![]() | XWV9Q | XWV9Q ORIGINAL QFN | XWV9Q.pdf | |
![]() | 1NB7-8467-113 | 1NB7-8467-113 AGILENT QFP | 1NB7-8467-113.pdf | |
![]() | LCHF | LCHF LINEAR SMD or Through Hole | LCHF.pdf | |
![]() | LT1977BIFE | LT1977BIFE LT TSSOP-16P | LT1977BIFE.pdf |